SIMM (Single In-line Memory Module) dan DIMM (Dual In-line Memory Module)
SIMM dan DIMM sebenarnya tidak merujuk kepada jenis-jenis memori tetapi merujuk kepada modul (papan litar yang berserta dengan cip) di mana RAM dipakejkan bersama. SIMM merupakan modul yang terdahulu dengan menawarkan laluan data sebanyak 32-bit. Disebabkan pemproses Pentium telah direkabentuk untuk menangani laluan data yang lebih lebar daripada itu, SIMM mesti digunakan secara berpasangan dengan papan utama Pentium. Bagaimanapun SIMM masih boleh digunakan secara tunggal teteapi hanya di atas papan utama yang berasaskan pemproses 486 atau pemproses yang lebih perlahan. Manakala DIMM yang merupakan modul terbaru akan menawarkan laluan 64-bit agar menjadikan lebih sesuai untuk digunakan bersama pemproses Pentium dan pemproses terbaru yang lain seperti AMG dan Cyrix. Dari segi pembelian komponen ingatan, setiap unit DIMM terbukti berupaya untuk mengendalikan kerja-kerja yang boleh dilakukan oleh dua unit SIMM. Tambahan pula ia boleh digunakan secara tunggal pada papan utama Pentium. Dari segi jangka panjang pula DIMM adalah lebih ekonomik kerana ia tidak perlu menambah satu lagi DIMM pada sistem ingatan komputer.
DRAM (Dynamic RAM)DRAM pula merupakan sejenis ingatan piawaian utama dalam komputer hari ini dan ia akan dirujuk apabila anda hendak memberitahu seseorang bahawa PC anda memiliki 32MB RAM. Di dalam DRAM, maklumat akan disimpan sebagai satu siri cas elektronik dalam sebuah kapasitor. Dalam setiap milisaat (milisecond) pengecasan secara elektronik kapasitor pada DRAM tersebut akan nyahcas (discharge) dan perlu disegarkan semula (refresh) untuk mengekalkan nilainya. Penyegaran secara berterusan ini telah dijadikan alasan untuk meletakkan istilah dynamic di hadapan susunan huruf RAM.
FPM RAM (Fast Page-Mode RAM)
Sebelum kemunculan EDO RAM, semua ingatan utama yang terdapat di dalam PC adalah dari jenis mod-halaman pantas (fast page-mode variety). Nama tersebut juga tidak begitu dikenali manakala jenisnya pula hanyalah satu. Bagaimanapun kemajuan teknologi telah berjaya mengurangkan masa akses bagi FPM RAM daripada 120-ns (nanosaat) kepada masa akses sekarang iaitu 60-ns. Bagaimanapun pemproses Pentium hanya mengiktiraf bas berkepantasan 66 Mhz kerana bas tersebut lebih pantas keupayaannya berbanding dengan keupayaan FPM RAM. Dengan kepantasan 60-ns akan membolehkan modul RAM melaksana akses halaman rawak (di mana halaman dirujuk sebagai satu rantau ruangan alamat) di bawah kepantasan 30 Mhz walaupun ia dianggap terlalu perlahan berbanding dengan kepantasan bas.
EDO RAM (Extended-Data-Out RAM)
EDO RAM sebenarnya tidak lebih daripada satu peningkatan kepada FPM RAM. Apa yang penting ialah ia mengiktiraf kebanyakan masa apabila CPU meminta ingatan bagi sesuatu alamat tertentu, di samping meminta beberapa alamat lain yang berdekatan. Di samping mendesak setiap akses ingatan kembali segar, EDO RAM bergantung pada lokasi akses sebelumnya bagi memecut akses ke alamat yang berdekatan. EDO RAM mempercepatkan kitaran ingatan, dengan meningkatkan prestasi di dalam ingatan sebanyak 40 peratus. Tetapi EDO RAM hanyalah efektif bagi bas berkepantasan 66 Mhz dan ia boleh dipercepatkan lagi dengan keupayaan pintasan yang terdapat pada kebanyakan pemproses terkini seperti AMD, Cyrix dan Intel.
BEDO RAM (Burst Extended-Data-Out RAM)
Bagi meningkatkan kepantasan mengakses data ke dalam cip memori DRAM, satu teknologi yang dikenali sebagai bursting telah dibangunkan untuk tujuan tersebut. Teknologi ini melibatkan penghantaran blok data yang besar untuk diproses kepada unit-unit data yang lebih kecil. Istilah DRAM pada cip tersebut adalah merujuk kepada teknologi penghantaran data terperinci yang meliputi penghantaran beberapa halaman alamat di dalam cip memori.
SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)
Terdapat dua kelebihan yang terdapat pada cip memori jenis SDRAM. Pertama, ia boleh mengendalikan kepantasan bas sehingga 100 Mhz dan kedua, cip memori jenis SDRAM boleh dihubungkan (synchronized) dengan sistem jamnya sendiri. Teknologi yang terdapat pada cip ini membolehkan dua halaman memori dibuka secara berterusan. Manakala cip memori jenis SLDRAM merupakan replikasi cip jenis SDRAM yang telah dipertingkatkan teknologinya dengan menawarkan kepantasan bas yang lebih tinggi dan ia menggunakan peket-peket kecil data untuk mengendalikan alamat yang diminta; pemasaan dan arahan kepada cip memori DRAM. Pemilihan SLDRAM hanya melibatkan kos yang rendah tetapi prestasi memori yang ditawarkan adalah lebih tinggi.
SRAM (Static Random-Access Memory)
Perbezaan di antara cip memori jenis SRAM dan DRAM ialah di mana cip DRAM mesti disegarkan secara berterusan sedangkan cip SRAM dapat melakukan secara otomatik dan ia hanya berlaku apabila satu arahan bertulis dilaksanakan. Jika arahan bertulis tidak dilakukan maka tiada sebarang perubahan pada cip SRAM dan keadaan ini dikenali sebagai static. Kelebihan yang terdapat pada cip memori jenis SRAM berbanding dengan cip jenis DRAM ialah kepantasannya yang boleh mencapai 12-ns manakala 50-ns bagi cip memori jenis BEDO. Manakala kelemahan yang dimiliki oleh cip jenis SRAM terletak pada harganya yang lebih mahal daripada DRAM. Setakat ini SRAM kerap digunakan di dalam PC pada tahap cache yang kedua atau L2 Cache.
